英飛凌正在尋求采用 2kV 80A 碳化硅肖特基二極管的 1,500V 直流鏈路,。

　　英飛凌 2kV 80A TO247-4 SiC 肖特基二極管

       IDYH80G200C5 是 80A 2,000V 部件，采用四引腳 TO-247PLUS-4-HCC 封裝,，爬電距離為 14mm,，間隙為 5.4mm。僅使用兩根引線——兩根靠近爬電槽,。陰極連接到分離的引腳以及背面散熱墊,。

　　12 月，英飛凌將提供采用兩引線 TO-247-2 封裝的相同 2kV 肖特基芯片,。

　　今年早些時(shí)候的春天,，該公司宣布在同一個(gè) TO-247Plus-4 HCC 中采用 2kV MOSFET。

　　英飛凌表示：“許多工業(yè)應(yīng)用正在向更高的功率水平過渡,，這是通過提高直流母線電壓來實(shí)現(xiàn)的,。”這款“市場(chǎng)上首款擊穿電壓為 2,000V 的分立式碳化硅二極管,，使開發(fā)人員能夠在其應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率水平,，而組件數(shù)量?jī)H為 1,200V 解決方案的一半，并實(shí)現(xiàn)從多級(jí)拓?fù)涞蕉嗉?jí)拓?fù)涞钠交^渡,。電平拓?fù)?。?/p>

　　正向電壓在 25°C 時(shí)通常為 1.5V（值 1.75V）,，在 150°C 時(shí)升至 2.3V,，而 2kV 反向漏電流在 25°C 時(shí)通常為 40μA（值 1.2mA），在 150°C 時(shí)升至 290μA,。

　　1V 時(shí)的總電容為 9.1nF,，600V 時(shí)的總電容為 365pF，1.5kV 時(shí)的總電容為 245pF,。

　　80A是外殼溫度148°C時(shí)的連續(xù)電流,，外殼溫度135°C時(shí)可增加至101A。在 100°C 的情況下,，10ms 半正弦浪涌可以重復(fù)達(dá)到 240A,，在 150°C 的情況下，可以處理單次 399A 10ms 半正弦浪涌,。

　　工作溫度超過 -55 至 +175°C,，其他限制為 150°C 時(shí) 796A 2 s 10ms I 2 t,，25°C 時(shí)總額定功率為 656W?？沙惺芨哌_(dá) 1.5kV,、100V/ns 的瞬變。